전임교수

문태환Taehwan Moon

[2022.05 - 2024.02] University of Southern California, ECE Department, Postdoctoral Researcher
[2019.03 - 2022.04] 삼성전자 종합기술원, Staff Researcher

[논문] 권태규(제1), 최형석(제1), 이동현, 전인탁, 정창화, 조용현, 한동희, 문태환*, 박민혁*, 임한진*, HfO 2-based ferroelectric synaptic devices: challenges and engineering solutions, CHEMICAL COMMUNICATIONS, Vol.61, No.15, pp. 3061-3080 (01월, 2025)
[논문] 이석현(제1), 김경도, 류승규, 박한솔, 변승용, 신성재, 이인수, 문태환*, 황철성*, Investigation of ferro-resistive switching mechanisms in TiN/Hf0. 5Zr0. 5O2/WOx/W ferroelectric tunnel junctions with the interface layer effect, APPLIED PHYSICS REVIEWS, Vol.11, No.4, pp. 041404-041404 (10월, 2024)
[논문] 문태환(제1), 김종성(제1), 소근호(제1), 김지은, 전석엽, 조경준, J. Joshua Yang*, 윤정호*, Leveraging volatile memristors in neuromorphic computing: from materials to system implementation, Materials Horizons, Vol.11, pp. 4840-4866 (08월, 2024)

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테스트

[논문] 윤승주(제1), 이현재(제1), 문태환*, Chemically produced two-dimensional conducting interfaces for memory and neuromorphic applications, CHEMICAL PHYSICS REVIEWS, Vol.7, pp. 021308-021308 (5월, 2026)
[논문] 하채형(제1), 한정민(제1), 한정환, 이해령, 문태환*, 정윤장*, Designing cryo-compatible ferroelectric hafnia devices through electrode and interface control, Materials Today Chemistry, Vol.53, pp. 103581-103581 (4월, 2026)
[논문] 이태림(제1), 봉정우, 이현진, 이호성, 장현식, 김희태, 이재현, 조병진, 최연호, 배학열*, 문태환*, 허근*, Enhanced Dielectric Constant by Al Gradient Doping on Atomic-Layer-Deposited HfO2 -Based Metal–Insulator–Metal Capacitor, Advanced Electronic Materials, pp. e00679-e00679 (1월, 2026)

연구활동 더보기(10)

[특허] 김장현, 문태환, 윤태영, 최승희, 씨모스(CMOS) 인버터, 이의 동작 방법 및 이를 위한 반양극성 전류 특성을 제어하는 트랜지스터, 특허, (등록) (10-2945313) (3월, 2026)
[특허] 유주현, 문태환, 강유전체 메모리의 다치상태 프로그래밍을 위한 제어 장치 및 프로그래밍 방법, 특허, (출원) (10-2026-0043761) (3월, 2026)

지능형반도체공학과